Cd1-xZnxTe在高压下的电学性质、状态方程与相变

鲍忠兴; 褚君浩; 柳翠霞; 刘克岳; 王金义

doi:10.11858/gywlxb.2000.04.006

Cd1-xZnxTe在高压下的电学性质、状态方程与相变

doi: 10.11858/gywlxb.2000.04.006

1.
中国科学院物理研究所，北京 100080；
2.
中国科学院国际材料物理中心，辽宁沈阳 110015；
3.
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室，上海 200083；
4.
华北光电研究所，北京 100015

详细信息

通讯作者:
鲍忠兴

计量
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出版历程
- 收稿日期: 2000-02-21
- 修回日期: 2000-05-06
- 发布日期: 2000-12-05

Cd1-xZnxTe Electrical Properties, the Equation of State and Phase Transitions under High Pressure

1.
Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080, China;
2.
International Center for Materials Physics, Shenyang 110015, China;
3.
National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China;
4.
North China Research Institute of Electro-Optics, Beijing 100015, China

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Corresponding author: BAO Zhong-Xing

摘要

摘要: 在金刚石压砧装置上，采用电阻和电容测量方法研究了Cd1-xZnxTe（x=0.04）在室温下、17 GPa内的电阻、电容与压力的关系。实验结果表明，它在3.1 GPa左右和5 GPa左右发生了两次电子结构相变，而在3.1 GPa以上和5.7 GPa左右发生了两次晶体结构相变。同时，还在活塞-圆筒测量装置上研究了Cd1-xZnxTe（x=0.04）在室温下、4.5 GPa内的p-V关系。实验结果表明它在3.8 GPa左右发生了相变。本工作还给出了它在相变前后的状态方程，以及它的Grneisen参数0、体弹模量B0 与B0 的压力导数B0。
- 电阻 /
- 电容 /
- 状态方程 /
- 相变
Abstract: Resistance-and capacitance-pressure relationships for Cd1-xZnxTe (x=0.04) at room temperature and in the pressure range up to 17 GPa were measured in a diamond anvil cell. Experimental results indicate that Cd1-xZnxTe (x=0.04) undergoes two electronic structure transitions at about 3.1 GPa and 5 GPa, and two crystal structure transitions at above 3.1 GPa and about 5.7 GPa. p-V relationship for Cd1-xZnxTe (x=0.04) at room temperature and in the pressure range up to 4.5 GPa was also obtained using a piston-cylinder type device. Experimental results show that a phase transition in Cd1-xZnxTe (x=0.04) occurs at about 3.8 GPa. Its equations of state before and after the phase transition, Grneisen parameter 0, bulk modulus B0 and the first order pressure derivative B0 of B0 are also given.
- resistance /
- capacitance /
- equation of state /
- phase transition

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参考文献(6)

鲍忠兴, 褚君浩, 柳翠霞, 等. Hg1-xCdxTe在髙压下的电学性质、状态方程与相变 [J]. 髙压物理学报, 2000, 14(1): 28-32.

顾惠成, 陈良辰, 褚君浩, 等. Hgl-xCdxTe在高压下的结构、状态方程与相变 [J]. 髙压物理学报, 2000, 14(4): 298-301.

鲍忠兴, 张芝婷, 俞汀南. GaP、Si和Ge在髙压下的金属化相变及其测定方法 [J]. 科学通报, 1984, 29(14): 846.

Bao Z X, Schmidt V H, Howell F L. Phase Transitions in KH2PO4 and RbH2PO4 to 14 GPa Observed by Capacitance Change in a Diamond Anvil Cell [J]. J Appl Phys, 1991, 70(11): 6804.

鲍忠兴, 张芝婷. 一种新的p-V关系测量技术 [J]. 高压物理学报, 1990, 4(2): 157.

程开甲, 程漱玉. 论少子对材料特性的影响 [J]. 材料研究学报, 1996, 10(1): 1.

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