片状立方氮化硼合成及其导电特性研究

张铁臣 王明光 郭伟力 刘建亭 高春晓 邹广田

张铁臣, 王明光, 郭伟力, 刘建亭, 高春晓, 邹广田. 片状立方氮化硼合成及其导电特性研究[J]. 高压物理学报, 1998, 12(3): 168-173 . doi: 10.11858/gywlxb.1998.03.002
引用本文: 张铁臣, 王明光, 郭伟力, 刘建亭, 高春晓, 邹广田. 片状立方氮化硼合成及其导电特性研究[J]. 高压物理学报, 1998, 12(3): 168-173 . doi: 10.11858/gywlxb.1998.03.002
ZHANG Tie-Chen, WANG Ming-Guang, GUO Wei-Li, LIU Jian-Ting, GAO Chun-Xiao, ZOU Guang-Tian. Study on Synthesizing Flaky cBN Crystals and Its Conduction Property[J]. Chinese Journal of High Pressure Physics, 1998, 12(3): 168-173 . doi: 10.11858/gywlxb.1998.03.002
Citation: ZHANG Tie-Chen, WANG Ming-Guang, GUO Wei-Li, LIU Jian-Ting, GAO Chun-Xiao, ZOU Guang-Tian. Study on Synthesizing Flaky cBN Crystals and Its Conduction Property[J]. Chinese Journal of High Pressure Physics, 1998, 12(3): 168-173 . doi: 10.11858/gywlxb.1998.03.002

片状立方氮化硼合成及其导电特性研究

doi: 10.11858/gywlxb.1998.03.002
详细信息
    通讯作者:

    张铁臣

Study on Synthesizing Flaky cBN Crystals and Its Conduction Property

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    Corresponding author: ZHANG Tie-Chen
  • 摘要: 通过控制高压腔内的温度、压力梯度合成了粒径300~500 m的片状立方氮化硼(cBN)单晶体。通过在原料中掺杂及对合成晶体的真空高温扩散掺杂,获得了具有半导体导电性的立方氯化硼材料并测试了其V-A特性。

     

  • Wentorf R H Jr. J Chem Phys, 1961, 34: 809.
    Taniguchi T, Tnaka J. Appl Phys Lett, 1993, 6: 62.
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出版历程
  • 收稿日期:  1998-03-27
  • 修回日期:  1998-03-27
  • 发布日期:  1998-09-05

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