高温高压金刚石单晶生长界面的研究

郝兆印 高春晓 罗薇 邹广田 程开甲 程漱玉

郝兆印, 高春晓, 罗薇, 邹广田, 程开甲, 程漱玉. 高温高压金刚石单晶生长界面的研究[J]. 高压物理学报, 1997, 11(3): 169-174 . doi: 10.11858/gywlxb.1997.03.002
引用本文: 郝兆印, 高春晓, 罗薇, 邹广田, 程开甲, 程漱玉. 高温高压金刚石单晶生长界面的研究[J]. 高压物理学报, 1997, 11(3): 169-174 . doi: 10.11858/gywlxb.1997.03.002
HAO Zhao-Yin, GAO Chun-Xiao, LUO Wei, ZOU Guang-Tian, CHENG Kai-Jia, CHENG Shu-Yu. A Study of the Growth Interfaces of Diamond under High Temperature and High Pressure[J]. Chinese Journal of High Pressure Physics, 1997, 11(3): 169-174 . doi: 10.11858/gywlxb.1997.03.002
Citation: HAO Zhao-Yin, GAO Chun-Xiao, LUO Wei, ZOU Guang-Tian, CHENG Kai-Jia, CHENG Shu-Yu. A Study of the Growth Interfaces of Diamond under High Temperature and High Pressure[J]. Chinese Journal of High Pressure Physics, 1997, 11(3): 169-174 . doi: 10.11858/gywlxb.1997.03.002

高温高压金刚石单晶生长界面的研究

doi: 10.11858/gywlxb.1997.03.002
详细信息
    通讯作者:

    郝兆印

A Study of the Growth Interfaces of Diamond under High Temperature and High Pressure

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    Corresponding author: HAO Zhao-Yin
  • 摘要: 利用扫描电镜及Auger电子谱技术研究了高温高压下金刚石单晶生长界面的特性,观察到了金刚石单晶表面及金属膜表面的沟槽结构及金刚石-金属、金属-石墨两个主界面间的过渡层结构及界面间C原子电子组态的变化。

     

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出版历程
  • 收稿日期:  1997-04-14
  • 修回日期:  1997-06-06
  • 发布日期:  1997-09-05

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