热丝CVD方法生长金刚石薄膜中石墨成份控制

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热丝CVD方法生长金刚石薄膜中石墨成份控制

杨国伟, 毛友德, Zhang S G

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杨国伟, 毛友德, Zhang S G. 热丝CVD方法生长金刚石薄膜中石墨成份控制[J]. 高压物理学报, 1993, 7(4): 301-304 . doi: 10.11858/gywlxb.1993.04.010

引用本文:

杨国伟, 毛友德, Zhang S G. 热丝CVD方法生长金刚石薄膜中石墨成份控制[J]. 高压物理学报, 1993, 7(4): 301-304 . doi: 10.11858/gywlxb.1993.04.010

YANG Guo-Wei, MAO You-De, Zhang S G. The control of Graphite Component in Diamond Thin Films Growth by the Hot Filament CVD Method[J]. Chinese Journal of High Pressure Physics, 1993, 7(4): 301-304 . doi: 10.11858/gywlxb.1993.04.010

Citation:

YANG Guo-Wei, MAO You-De, Zhang S G. The control of Graphite Component in Diamond Thin Films Growth by the Hot Filament CVD Method[J]. Chinese Journal of High Pressure Physics, 1993, 7(4): 301-304 . doi: 10.11858/gywlxb.1993.04.010

杨国伟, 毛友德, Zhang S G. 热丝CVD方法生长金刚石薄膜中石墨成份控制[J]. 高压物理学报, 1993, 7(4): 301-304 . doi: 10.11858/gywlxb.1993.04.010

引用本文:

杨国伟, 毛友德, Zhang S G. 热丝CVD方法生长金刚石薄膜中石墨成份控制[J]. 高压物理学报, 1993, 7(4): 301-304 . doi: 10.11858/gywlxb.1993.04.010

YANG Guo-Wei, MAO You-De, Zhang S G. The control of Graphite Component in Diamond Thin Films Growth by the Hot Filament CVD Method[J]. Chinese Journal of High Pressure Physics, 1993, 7(4): 301-304 . doi: 10.11858/gywlxb.1993.04.010

Citation:

YANG Guo-Wei, MAO You-De, Zhang S G. The control of Graphite Component in Diamond Thin Films Growth by the Hot Filament CVD Method[J]. Chinese Journal of High Pressure Physics, 1993, 7(4): 301-304 . doi: 10.11858/gywlxb.1993.04.010

热丝CVD方法生长金刚石薄膜中石墨成份控制

doi: 10.11858/gywlxb.1993.04.010

1.
航空工业部第014中心，河南洛阳 417009；
2.
合肥工业大学应用物理系，安徽合肥 230009；
3.
阿拉巴马州立本学物理系，美国

通讯作者:
杨国伟

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出版历程
- 收稿日期: 1992-12-28
- 修回日期: 1993-08-23
- 发布日期: 1993-12-05

The control of Graphite Component in Diamond Thin Films Growth by the Hot Filament CVD Method

1.
No.014 Center of Ministry of Aviation and Astronautics, Luoyang 471009, China;
2.
Department of Applied Physics, Hefei University of Technology, Hefei 230009, China;
3.
Department of Physics, University of Alabama, Birmingham AL 35205, USA

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Corresponding author: YANG Guo-Wei

摘要: 在用热丝CVD方法生长金刚石薄膜中，研究了生长条件对制备膜中石墨和非晶碳成份的影响，发现较高的碳源浓度或较低的衬底温度会使制备膜中非金刚石相碳成份增加。
- 热丝CVD /
- 金刚石薄膜 /
- 石墨
Abstract: The effect of the deposition conditions on the graphite or amorphous carbon component in the formation of diamond thin films by HFCVD method was studied. We found that high CH3COCH3 concentration or low-substrate temperature would cause the graphit or amorphous carbon component of the formed films to increase.
- HFCVD /
- diamond thin film /
- graphite

参考文献(12)

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