高压合成La填充型CoSb3方钴矿热电材料及其电输运性能

姜一平 贾晓鹏 马红安 宿太超 董楠 邓乐

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高压合成La填充型CoSb3方钴矿热电材料及其电输运性能

    通讯作者: 马红安; 

High Pressure Synthesis and Electric Transport Properties of La Filled CoSb3 Skutterudite Thermoelectric Materials

    Corresponding author: MA Hong-An
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-07-14
  • 录用日期:  2008-10-15
  • 刊出日期:  2009-04-15

高压合成La填充型CoSb3方钴矿热电材料及其电输运性能

    通讯作者: 马红安; 
  • 1. 吉林大学超硬材料国家重点实验室,吉林长春 130012;
  • 2. 北华大学物理学院,吉林吉林 132013

摘要: 采用高温高压手段,在压力3.5 GPa、温度900 K的条件下,成功合成出La填充型方钴矿热电材料LaxCo4Sb12(0x1.0),系统地研究了样品的晶体结构和电输运性能随填充分数x的变化关系。研究结果表明:在最大填充分数x为0~1.0的范围内,随着La填充分数的增加,样品的晶胞常数稍有增大,晶体结构仍为典型的方钴矿结构,没有La杂质相出现。室温下样品的电输运性能测试结果表明:La填充型方钴矿为p型半导体;样品的电阻率和Seebeck系数随La含量的增加均呈现出先增加后逐渐降低的趋势;当填充分数x为0.3时,样品的Seebeck系数和电阻率均达到了最大值;功率因子在x=0.5时达到了最大值。

English Abstract

参考文献 (12)

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