1992年 6卷 第1期
1992, 6(1): 1-6 .
doi: 10.11858/gywlxb.1992.01.001
1992, 6(1): 7-14 .
doi: 10.11858/gywlxb.1992.01.002
摘要:
本文在成功地用超高氧压(~6.5 GPa)及高温(~980 ℃)合成和结构测定的基础上,首次对金属性化合物中LaCuO3中的Cu3+离子给予标定,并研究了它与绝缘体中Cu3+的区别。本论文中合成的LaCuO3为金属性化合物,电导率测量表明在大于13 K无超导电性迹象。XPS测量给出了LaCuO3中Cu2p3/2内层电子结合能相对于La2CuO4或CuO中的Cu2+向高结合能方向移动了约2.6 eV,这一量值远大于NaCuO2(绝缘体)中的Cu2p3/2相对于CuO中的Cu2+移动的值,约为1.3 eV。Auger谱测量表明,LaCuO3的修正了的Auger参数与CuO的基本相同,但L3VV的Auger电子动能相对CuO移动了2.8 eV。这些位移说明在金属性化合物LaCuO3中,Cu3+处在八面体位置上,它与近邻的Cu3+连成单个CuOCu桥,因此可作为对比p型高Tc含铜氧化物的XPS谱的标准。
本文在成功地用超高氧压(~6.5 GPa)及高温(~980 ℃)合成和结构测定的基础上,首次对金属性化合物中LaCuO3中的Cu3+离子给予标定,并研究了它与绝缘体中Cu3+的区别。本论文中合成的LaCuO3为金属性化合物,电导率测量表明在大于13 K无超导电性迹象。XPS测量给出了LaCuO3中Cu2p3/2内层电子结合能相对于La2CuO4或CuO中的Cu2+向高结合能方向移动了约2.6 eV,这一量值远大于NaCuO2(绝缘体)中的Cu2p3/2相对于CuO中的Cu2+移动的值,约为1.3 eV。Auger谱测量表明,LaCuO3的修正了的Auger参数与CuO的基本相同,但L3VV的Auger电子动能相对CuO移动了2.8 eV。这些位移说明在金属性化合物LaCuO3中,Cu3+处在八面体位置上,它与近邻的Cu3+连成单个CuOCu桥,因此可作为对比p型高Tc含铜氧化物的XPS谱的标准。
1992, 6(1): 15-22 .
doi: 10.11858/gywlxb.1992.01.003
1992, 6(1): 23-29 .
doi: 10.11858/gywlxb.1992.01.004
1992, 6(1): 30-36 .
doi: 10.11858/gywlxb.1992.01.005
1992, 6(1): 37-47 .
doi: 10.11858/gywlxb.1992.01.006
1992, 6(1): 48-53 .
doi: 10.11858/gywlxb.1992.01.007
1992, 6(1): 54-57 .
doi: 10.11858/gywlxb.1992.01.008
1992, 6(1): 58-67 .
doi: 10.11858/gywlxb.1992.01.009
1992, 6(1): 68-74 .
doi: 10.11858/gywlxb.1992.01.010
1992, 6(1): 75-80 .
doi: 10.11858/gywlxb.1992.01.011