Hg1-xCdxTe在高压下的电学性质、状态方程与相变

鲍忠兴 褚君浩 柳翠霞 顾惠成 刘克岳 李标 王金义

鲍忠兴, 褚君浩, 柳翠霞, 顾惠成, 刘克岳, 李标, 王金义. Hg1-xCdxTe在高压下的电学性质、状态方程与相变[J]. 高压物理学报, 2000, 14(1): 28-32 . doi: 10.11858/gywlxb.2000.01.005
引用本文: 鲍忠兴, 褚君浩, 柳翠霞, 顾惠成, 刘克岳, 李标, 王金义. Hg1-xCdxTe在高压下的电学性质、状态方程与相变[J]. 高压物理学报, 2000, 14(1): 28-32 . doi: 10.11858/gywlxb.2000.01.005
BAO Zhong-Xing, CHU Jun-Hao, LIU Cui-Xia, GU Hui-Cheng, LIU Ke-Yue, LI Biao, WANG Jin-Yi. Electrical Properties, Equations of State and Phase Transitions in Hg1-xCdxTe at High Pressure[J]. Chinese Journal of High Pressure Physics, 2000, 14(1): 28-32 . doi: 10.11858/gywlxb.2000.01.005
Citation: BAO Zhong-Xing, CHU Jun-Hao, LIU Cui-Xia, GU Hui-Cheng, LIU Ke-Yue, LI Biao, WANG Jin-Yi. Electrical Properties, Equations of State and Phase Transitions in Hg1-xCdxTe at High Pressure[J]. Chinese Journal of High Pressure Physics, 2000, 14(1): 28-32 . doi: 10.11858/gywlxb.2000.01.005

Hg1-xCdxTe在高压下的电学性质、状态方程与相变

doi: 10.11858/gywlxb.2000.01.005
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    通讯作者:

    鲍忠兴

Electrical Properties, Equations of State and Phase Transitions in Hg1-xCdxTe at High Pressure

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    Corresponding author: BAO Zhong-Xing
  • 摘要: 在金刚石压砧装置上,采用电阻和电容测量方法研究了Hg1-xCdxTe(x=0.19,0.22)在室温下、20 GPa内的电阻、电容与压力的关系。实验结果表明:它们分别在0.7~1.8 GPa与8.6 GPa左右以及在1.6 GPa左右与8.3 GPa左右发生了两次电子结构相变;分别在2 GPa左右与8.6 GPa以上以及在1.6 GPa左右与8.3 GPa以上发生了两次晶体结构相变。同时,还在活塞-圆筒式p-V关系测量装置上研究了Hg1-xCdxTe(x=0.21)在室温下、4.5 GPa内的p-V关系。实验结果发现它在2.1 GPa左右发生了相变。给出了它在相变前后的状态方程。

     

  • Chu J H, Mi Z Y, Tang D Y. J Appl Phys, 1992, 71(8): 3955.
    Chu J H, Tang D Y. J Electron Mater, 1996, 25(8): 1176.
    鲍忠兴, 张芝婷, 俞汀南. 科学通报, 1984, 29(4): 846.
    Bao Z X, Schmidt V H, Howell F L. J Appl Phys, 1991, 70(11): 6804.
    鲍忠兴, 张芝婷. 髙压物理学报, 1990, 4(2): 157.
    程开甲, 程漱玉. 材料研究学报, 1996, 10(1): 1.
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出版历程
  • 收稿日期:  1999-06-22
  • 修回日期:  1999-09-21
  • 刊出日期:  2000-03-05

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