用气相沉积方法在低气压下制备BN的高压相:E-BN、c-BN、w-BN

朱品文 赵永年 邹广田 何志

朱品文, 赵永年, 邹广田, 何志. 用气相沉积方法在低气压下制备BN的高压相:E-BN、c-BN、w-BN[J]. 高压物理学报, 2000, 14(2): 111-114 . doi: 10.11858/gywlxb.2000.02.005
引用本文: 朱品文, 赵永年, 邹广田, 何志. 用气相沉积方法在低气压下制备BN的高压相:E-BN、c-BN、w-BN[J]. 高压物理学报, 2000, 14(2): 111-114 . doi: 10.11858/gywlxb.2000.02.005
ZHU Pin-Wen, ZHAO Yong-Nian, ZOU Guang-Tian, HE Zhi. The Synthesis of High-Pressure Phase of BN: E-BN, w-BN, c-BN by Physical Vapor Deposition Method[J]. Chinese Journal of High Pressure Physics, 2000, 14(2): 111-114 . doi: 10.11858/gywlxb.2000.02.005
Citation: ZHU Pin-Wen, ZHAO Yong-Nian, ZOU Guang-Tian, HE Zhi. The Synthesis of High-Pressure Phase of BN: E-BN, w-BN, c-BN by Physical Vapor Deposition Method[J]. Chinese Journal of High Pressure Physics, 2000, 14(2): 111-114 . doi: 10.11858/gywlxb.2000.02.005

用气相沉积方法在低气压下制备BN的高压相:E-BN、c-BN、w-BN

doi: 10.11858/gywlxb.2000.02.005
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    通讯作者:

    朱品文

The Synthesis of High-Pressure Phase of BN: E-BN, w-BN, c-BN by Physical Vapor Deposition Method

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    Corresponding author: ZHU Pin-Wen
  • 摘要: 用射频磁控溅射方法得到了低应力立方氮化硼薄膜。红外光谱结果表明,薄膜具有很好的附着力,且含有少量的E-BN和w-BN。电子衍射谱表明薄膜表层是纯立方相。同时利用此方法得到了E-BN薄膜。认为在薄膜生长过程中可能经历了一个从E-BN到c-BN的相转变过程。

     

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出版历程
  • 收稿日期:  1999-05-10
  • 修回日期:  1999-05-10
  • 发布日期:  2000-06-05

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