硅在cBN单晶合成中的行为

周艳平 阎学伟 赵廷河 马贤锋

周艳平, 阎学伟, 赵廷河, 马贤锋. 硅在cBN单晶合成中的行为[J]. 高压物理学报, 1995, 9(3): 176-182 . doi: 10.11858/gywlxb.1995.03.003
引用本文: 周艳平, 阎学伟, 赵廷河, 马贤锋. 硅在cBN单晶合成中的行为[J]. 高压物理学报, 1995, 9(3): 176-182 . doi: 10.11858/gywlxb.1995.03.003
ZHOU Yan-Ping, YAN Xue-Wei, ZHAO Ting-He, MA Xian-Feng. Behavior of Li8SiN4 on cBN Synthesis[J]. Chinese Journal of High Pressure Physics, 1995, 9(3): 176-182 . doi: 10.11858/gywlxb.1995.03.003
Citation: ZHOU Yan-Ping, YAN Xue-Wei, ZHAO Ting-He, MA Xian-Feng. Behavior of Li8SiN4 on cBN Synthesis[J]. Chinese Journal of High Pressure Physics, 1995, 9(3): 176-182 . doi: 10.11858/gywlxb.1995.03.003

硅在cBN单晶合成中的行为

doi: 10.11858/gywlxb.1995.03.003
详细信息
    通讯作者:

    周艳平

Behavior of Li8SiN4 on cBN Synthesis

More Information
    Corresponding author: ZHOU Yan-Ping
  • 摘要: 实验制备了复合氮化物Li8SiN4,并对合成温度、合成时间、气流量等因素的影响以及产物的稳定性进行了讨论。研究了Li8SiN4作为触媒添加剂时硅在cBN单晶合成中的作用。结果表明:cBN晶体多为截角八面体,晶面致密光滑;硅参与cBN的合成反应,并以SiO2的形式沉积在cBN表面。

     

  • Wentorf R H Jr. J Chem Phys, 1961, 34: 809.
    Devries R C, Fleischer J F. J Cryst Growth, 1972, 13-14: 88.
    Kabayama T. USP-3 959 443. 1976.
    Showa Denko. JP-59 199 514. 1984.
    Mazurenko A M, Leusenko A A, Shimanovich P P, et al. Svehtverd Mater, 1984, 5: 12.
    Llogd E C. NBS-SP-326. 1971: 343
    Juza R, Weber H H, Meyer-Simon E. Z Anorg Allg Chem, 1953, 273: 48.
    David J, Laurent Y, Chariot J P, et al. Bull Soc Fr Mineral Cristallogr, 1973, 96: 21.
    Lang J, Chariot J P. Rev Chim Miner, 1970, 7: 121.
    Dow Whitney E, Giese R F. Inorg Chem, 1971, 10: 1090.
    Yamane H, Kikkawa S, Koizumi M. J Pow Sour, 1987, 20: 311.
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  7156
  • HTML全文浏览量:  544
  • PDF下载量:  717
出版历程
  • 收稿日期:  1994-09-12
  • 修回日期:  1994-11-10
  • 发布日期:  1995-09-05

目录

    /

    返回文章
    返回