-SiC的电子结构和物态方程

谢元南

谢元南. -SiC的电子结构和物态方程[J]. 高压物理学报, 1994, 8(1): 57-59 . doi: 10.11858/gywlxb.1994.01.009
引用本文: 谢元南. -SiC的电子结构和物态方程[J]. 高压物理学报, 1994, 8(1): 57-59 . doi: 10.11858/gywlxb.1994.01.009
XIE Yuan-Nan. Electronic Structure and EOS of -SiC[J]. Chinese Journal of High Pressure Physics, 1994, 8(1): 57-59 . doi: 10.11858/gywlxb.1994.01.009
Citation: XIE Yuan-Nan. Electronic Structure and EOS of -SiC[J]. Chinese Journal of High Pressure Physics, 1994, 8(1): 57-59 . doi: 10.11858/gywlxb.1994.01.009

-SiC的电子结构和物态方程

doi: 10.11858/gywlxb.1994.01.009
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    通讯作者:

    谢元南

Electronic Structure and EOS of -SiC

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    Corresponding author: XIE Yuan-Nan
  • 摘要: 给出了用LMTO-ASA方法计算的共价晶体-SiC的电子结构和物态方程。其压缩比=1.0~2.5。我们在维格纳-赛兹原胞中放入两个空球来模拟原子球的密堆积效果。结果表明,对于开结构体系晶体物性的计算,本方法也是适用的。

     

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出版历程
  • 收稿日期:  1993-09-17
  • 修回日期:  1993-09-17
  • 发布日期:  1994-03-05

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