室温下用脉冲激光沉积E-BN薄膜

任志昂; 张灿云; 钟向丽; 王金斌; 杨国伟

doi:10.11858/gywlxb.2002.04.010

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室温下用脉冲激光沉积E-BN薄膜

任志昂 , 张灿云 , 钟向丽 , 王金斌 , 杨国伟

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室温下用脉冲激光沉积E-BN薄膜

1.
湘潭大学物理系，湖南湘潭 411105

通讯作者: 任志昂;

Pulsed Laser Deposition of Explosion Boron Nitride at Ambient Temperature

1.
Department of Physics, Xiangtan University, Xiangtan 411105, China

Corresponding author: REN Zhi-Ang

摘要: 在利用等离子体增强脉冲激光沉积系统沉积立方氮化硼（cBN）薄膜时，发现了氮化硼（BN）材料的E-BN相，并利用扫描电镜和红外吸收光谱及X射线衍射技术对薄膜样品进行了分析，得到了制备较高质量E-BN薄膜的一些热力学参数及时间参数，验证了现有的E-BN结构的形成理论。
- E-BN薄膜 /
- 脉冲激光沉积 /
- 扫描电镜 /
- 红外吸收光谱 /
- X射线衍射
Abstract: In this study, explosion boron nitride (E-BN) was found in the process of depositing cubic boron nitride (cBN) thin film by Plasma Enhanced Pulsed Laser Deposition (PEPLD) method at room temperature. The E-BN thin film was identified using SEM, FTIR and X-ray diffraction techniques. The thermodynamic parameters and time parameter for preparing high-quality E-BN thin film were obtained. This has supported the existing formation theory of the structure of E-BN.
- E-BN thin film /
- pulsed laser deposition /
- SEM /
- FTIR spectra /
- X-ray diffraction

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