高温高压下氮化镓陶瓷体的制备

洪瑞金 马贤锋 阎学伟 赵伟 汤华国

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高温高压下氮化镓陶瓷体的制备

    通讯作者: 洪瑞金; 

Preparation of GaN Ceramic under High Temperature and High Pressure

    Corresponding author: HONG Rui-Jin
  • 摘要: 在高温高压条件下,实验成功实现了氮化镓的烧结。首次将氨压应用到陶瓷体的烧结中,解决了GaN的分解、原料中残余的氧化物等问题,提高了烧结体的结晶度。研究了在氨压条件下温度对烧结致密度的影响。
  • [1] Fasol G. Room-Temperature Blue Gallium Nitride Laser Diode [J]. Science, 1996, 272: 1751.
    [2] Ponce F A, Bour D P. Nitride-Based Semiconductors for Blue and Green Light-Emitting Devices [J]. Nature, 1997, 386: 351.
    [3] Nakamura S, Mukai T, Senoh M. Candela-Class High-Brightness ingan/Algan Double-Heterostructure Blue-Ligh Emitting Diodes [J]. Appl Phys Lett, 1994, 64: 1687.
    [4] Xie Y, Qian Y, Wang W, et al. A Benzene-Thermal Synthetic Route to Nanocrystalline GaN [J]. Science, 1996, 272: 1926.
    [5] Han W, Fan S, Li Q, et al. Synthesis of Gallium Nitride Nanorodes through a Carbon Nanotube-Confined Reaction [J]. Science, 1997, 277: 1287.
    [6] Nakamura S, Harada Y, Seno M. Novel Metalorganic Chemical Vapor Deposition System for GaN Growth [J]. Appl Phys Lett, 1991, 58: 2021.
    [7] Strite S, Lin M E, Morkoc H. Progress and Prospects for GaN and the Ⅲ-Ⅴ Nitride Semiconductors [J]. Thin Solid Films, 1993, 231: 197.
    [8] Yamane H, Kajiwara T, Sckiguchi T, et al. Zinc-Blende-Type Cubic GaN Single Crystals Prepared in a Potassium Flux [J]. Jpn J Appl Phys, 2000, 39: L146.
    [9] Karpinski J, Jun J, Porowski S. Equilibrium Pressure of N2 over GaN and High Pressure Solution Growth of GaN [J]. J Cryst Growth, 1986, 66: 1.
    [10] Perlin P, Gorczyca I, Christersen N E, et al. Pressure Studies of Gallium Nitride: Crystal Growth and Fundametal Electronic Properties [J]. Phys Rev B, 1992, 45: 13307.
    [11] Cui Shuojing, Zhao Tinhe, Yan Xuewei, et al. Polycrystalline Jadeite Gem [J]. Chinese Journal of High Pressure Physics, 1994, 8(2): 99. (in Chinese)崔硕景, 赵廷河, 闫学伟, 等. 人造聚晶翡翠宝石 [J]. 高压物理学报, 1994, 8(2): 99.
    [12] Xia H, Xia Q, Ruoff A L. High-Pressure Structure of Gallium Nitride: Wutzite-to-Rocksalt Phase Transition [J]. Phys Rev B, 1993, 47: 12925.
    [13] Anthong R. West Solid State Chemistry and Its Applications [M]. New York: John WileySons, 1984. 445.
    [14] Liu Xiao-yang, Zhao Xu-dong, Hou Wei-min, et al. Transformation of Boron Oxide B2O3 under High Pressure and High Temperature [J]. Chinese Journal of High Pressure Physics, 1995, 9(3): 213. (in Chinese)
    [15] 刘晓炀, 赵旭东, 侯为民, 等. 高温高压条件下三氧化二硼相变过程的研究 [J]. 高压物理学报, 1995, 9(3): 213.
    [16] Li Shao-chun, Zhu Jia-lin, Yu Ri-cheng, et al. High Pressure Synthesis of Bulk MgB2 Superconductor [J]. Chinese Journal of High Pressure Physics, 2001, 15(3): 226. (in Chinese)
    [17] 李绍春, 朱嘉林, 禹日成, 等. MgB2超导体块材的高压合成 [J]. 高压物理学报, 2001, 15(3): 226.
    [18] ZHOU Zhen-jun, LI Gong, YANG Zheng-fang, et al. The Effect of cBN Inclusions on the Densification and Microstructure of Fine-Grained Polycrystalline Diamond Compact [J]. Chinese Journal of High Pressure Physics, 2001, 15(3): 229. (in Chinese)
    [19] 周振君, 李工, 杨正方, 等. 掺杂立方氮化硼对金刚石聚晶致密化和显微结构的影响 [J]. 高压物理学报, 2001, 15(3): 229.
    [20] Yamane H, Shimada M, Endo T. Polarity of GaN Single Crystals Prepared with Na Flux [J]. Jpn J Appl Phys, 1998, 37: 3436.
  • [1] 马贤锋阎学伟 . 高温高压下氮化硼的结晶化及立方氮化硼的合成. 高压物理学报, 1996, 10(2): 97-101 . doi: 10.11858/gywlxb.1996.02.003
    [2] 张文凯彭放郭振堂管俊伟李荣祺 . 高压烧结镀Cr、Ti膜金刚石/铜复合材料热导率研究. 高压物理学报, 2012, 26(3): 306-312. doi: 10.11858/gywlxb.2012.03.010
    [3] 杨曼曼朱红玉李洪涛樊浩天胡强胡美华李尚升宿太超 . 机械合金化结合高压烧结制备PbSe-PbS固溶体合金的热电性能. 高压物理学报, 2019, 33(1): 011102-1-011102-5. doi: 10.11858/gywlxb.20180597
    [4] 罗湘捷罗伯诚彭放陈豪丁立业 . 高压热处理石墨-六角氮化硼微晶混合物的结果分析. 高压物理学报, 2004, 18(4): 359-363 . doi: 10.11858/gywlxb.2004.04.012
    [5] 罗湘捷彭放陈豪毕延罗伯诚丁立业 . 石墨-六角氮化硼微晶混合物与水高压反应产物分析. 高压物理学报, 2003, 17(2): 106-110 . doi: 10.11858/gywlxb.2003.02.005
    [6] 朱品文贾晓鹏陈海勇陈立学李冬妹郭伟力马红安任国仲邹广田 . PbTe的高温高压合成. 高压物理学报, 2002, 16(3): 183-187 . doi: 10.11858/gywlxb.2002.03.004
    [7] 韩磊刘宝昌李文敏刘影 . CrB2的高温高压合成与物性研究. 高压物理学报, 2014, 28(4): 394-398. doi: 10.11858/gywlxb.2014.04.002
    [8] 李莉萍魏诠刘宏建郑大方苏文辉 . 高温高压合成CeTbO3+的XPS研究. 高压物理学报, 1994, 8(3): 184-189 . doi: 10.11858/gywlxb.1994.03.005
    [9] 胡海英李和平代立东单双明朱成明 . 高温高压下钠长石的阻抗谱实验研究. 高压物理学报, 2012, 26(4): 382-388. doi: 10.11858/gywlxb.2012.04.004
    [10] 胡艺贺端威胡启威刘方明刘银娟王永坤张瑜 . 人工翡翠的高温高压合成及表征. 高压物理学报, 2015, 29(4): 241-247. doi: 10.11858/gywlxb.2015.04.001
    [11] 蒋玺周文戈谢鸿森刘永刚范大伟 . 高温高压下几种岩石熔融玻璃的弹性波速. 高压物理学报, 2013, 27(4): 481-489. doi: 10.11858/gywlxb.2013.04.002
    [12] 雷力蒲梅芳冯雷豪戚磊张雷雷 . 立方聚合氮(cg-N)的高温高压合成. 高压物理学报, 2018, 32(2): 020102-1-020102-5. doi: 10.11858/gywlxb.20170672
    [13] 宿太超朱品文马红安任国仲郭建刚今井义雄贾晓鹏 . 高温高压下掺杂N型PbTe的热电性能. 高压物理学报, 2007, 21(1): 55-58 . doi: 10.11858/gywlxb.2007.01.009
    [14] 马艳梅周强杨凯峰李雪飞沈龙海崔启良刘景邹广田 . 顽火辉石的高温高压同步辐射研究. 高压物理学报, 2006, 20(1): 11-14 . doi: 10.11858/gywlxb.2006.01.003
    [15] 王多君李和平刘丛强易丽苏根利张卫刚许祖鸣 . 高温高压下辉石岩的电导率研究. 高压物理学报, 2004, 18(2): 177-182 . doi: 10.11858/gywlxb.2004.02.014
    [16] 邢莹莹何涌 . 高温高压合成翡翠的谱学特征初探. 高压物理学报, 2018, 32(6): 061102-1-061102-8. doi: 10.11858/gywlxb.20180545
    [17] 李和平谢鸿森郭捷张月明许祖鸣徐济安 . 高温高压下氧逸度的就位测量与控制. 高压物理学报, 1998, 12(2): 97-102 . doi: 10.11858/gywlxb.1998.02.004
    [18] 刘在洋王多君李和平郭颖星于英杰 . 高温高压下蛇纹岩电导率的初步研究. 高压物理学报, 2011, 25(2): 147-152 . doi: 10.11858/gywlxb.2011.02.010
    [19] 刘宏建刘维娜关中素孙淑兰苏文辉 . 高温高压下SrB4O7:Eu2+玻璃的晶化. 高压物理学报, 1994, 8(3): 161-165 . doi: 10.11858/gywlxb.1994.03.001
    [20] 马艳章孟进芳邹广田池元斌 . 叶蜡石高温高压相变的荧光光谱研究. 高压物理学报, 1995, 9(2): 144-148 . doi: 10.11858/gywlxb.1995.02.010
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出版历程
  • 收稿日期:  2002-02-19
  • 录用日期:  2002-05-29
  • 刊出日期:  2002-12-05

高温高压下氮化镓陶瓷体的制备

    通讯作者: 洪瑞金; 
  • 1. 中国科学院长春应用化学研究所材料与器件研究室,吉林长春 130022

摘要: 在高温高压条件下,实验成功实现了氮化镓的烧结。首次将氨压应用到陶瓷体的烧结中,解决了GaN的分解、原料中残余的氧化物等问题,提高了烧结体的结晶度。研究了在氨压条件下温度对烧结致密度的影响。

English Abstract

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