几种半导体在高压下的金属化相变

鲍忠兴 Tu C S Anderson J R Schmidt V H Pinto N J

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几种半导体在高压下的金属化相变

    通讯作者: 鲍忠兴; 

Metallic Transitions in Several Kinds of Semiconductors at High Pressure

    Corresponding author: BAO Zhong-Xing
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出版历程
  • 收稿日期:  1995-03-06
  • 录用日期:  1995-03-06
  • 刊出日期:  1996-03-05

几种半导体在高压下的金属化相变

    通讯作者: 鲍忠兴; 
  • 1. 中国科学院物理研究所,北京 100080;
  • 2. 中国科学院国际材料物理中心,辽宁沈阳 110015;
  • 3. Department of Physics, Montana State University, Bozeman MT 59717, USA

摘要: 在金刚石压砧装置上,采用我们建立的电阻测量方法,研究了半导体InP0.97As0.03、InP0.5As0.5、Ga0.76In0.24As和Ga0.24In0.76As在室温下、16 GPa内的电阻与压力的关系。工作中,对测量技术进行了一些改进,采用微机进行测量控制和数据记录。实验结果表明,这些样品在测量的压力范围内,均发生了金属化相变。它们的相变压力分别为:10.3、9.7、13.5~14.6和10~10.4 GPa左右。这些实验结果在过去发表的文章中未见报导过。

English Abstract

参考文献 (14)

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