硅在cBN单晶合成中的行为

周艳平 阎学伟 赵廷河 马贤锋

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硅在cBN单晶合成中的行为

    通讯作者: 周艳平; 

Behavior of Li8SiN4 on cBN Synthesis

    Corresponding author: ZHOU Yan-Ping
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出版历程
  • 收稿日期:  1994-09-12
  • 录用日期:  1994-11-10
  • 刊出日期:  1995-09-05

硅在cBN单晶合成中的行为

    通讯作者: 周艳平; 
  • 1. 中国科学院长春应用化学研究所,吉林长春 130022

摘要: 实验制备了复合氮化物Li8SiN4,并对合成温度、合成时间、气流量等因素的影响以及产物的稳定性进行了讨论。研究了Li8SiN4作为触媒添加剂时硅在cBN单晶合成中的作用。结果表明:cBN晶体多为截角八面体,晶面致密光滑;硅参与cBN的合成反应,并以SiO2的形式沉积在cBN表面。

English Abstract

参考文献 (11)

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