Ca3B2N4-hBN系中立方氮化硼的膜生长机制

张铁臣 马文骏 郭伟力 徐晓伟 邹广田

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Ca3B2N4-hBN系中立方氮化硼的膜生长机制

    通讯作者: 张铁臣; 

Growth Mechanism of cBN by Metal Films

    Corresponding author: ZHANG Tie-Chen
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出版历程
  • 收稿日期:  1991-11-26
  • 录用日期:  1991-11-26
  • 刊出日期:  1992-12-05

Ca3B2N4-hBN系中立方氮化硼的膜生长机制

    通讯作者: 张铁臣; 
  • 1. 吉林大学原子分子物理所,超硬材料国家重点实验室,吉林长春 130023

摘要: 以Ca3B2N4为触媒,在高温高压下对六角氮化硼进行处理,在六角氮化硼与触媒的交界处得到了被金属膜包覆的立方氮化硼晶体。这表明六角氮化硼到立方氮化硼的转变与人造金刚石的膜生长机制类似:立方氮化硼晶体在触媒与六角氮化硼接触处择优成核,在生长着的立方氮化硼与六角氮化硼之间存在着金属薄膜,该膜对立方氮化硼基元有输运作用。随着该金属膜向六角氮化硼区的推进,在其后留下生长的立方氮化硼晶体。

English Abstract

参考文献 (4)

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